全球光刻机市场竞争加剧，ASML财报引发关注...

近日，ASML发布最新三季度财报后，股价创26年来最大跌幅引起市场极大关注。在此期间，尼康和佳能陆续发布的光刻机研发最新进展也引起行业聚焦。

ASML股价创26年来最大跌幅

全球光刻机行业领导者ASML近期发布了其三季度财报和四季度财报指引，并下调了2025财年的业绩预期。由于国际形势和半导体产业需求的抑制，ASML在美国上市的股票遭受了26年来的最大跌幅，当日股价下跌16%。

具体财报而言，ASML三季度实现营收75亿欧元，毛利率达50.8%，净利润达21亿欧元。这主要得益于DUV光刻系统销售额和装机管理销售额的增加。但同时，ASML新增订单金额达26亿欧元，比市场预期的54亿欧元减少近一半。

市场对High NA EUV光刻机的走向保持高度关注。据路透社近日披露消息，三星因在美国得克萨斯州的工厂未能吸引大客户，推迟了接收ASML生产的光刻机。同时，三星也推迟了向其他一些供应商下订单，致使这些供应商不得不另觅客户。

三星在今年4月表示，其德州工厂将于2026年开始生产，而非原定的2024年。三星电子会长李在镕本月早些时候公开表示，这家工厂面临挑战。三星电子推迟收货行为也影响着阿斯麦业绩。阿斯麦提供的数据显示，在韩销售额今年三季度环比下滑三分之一至8.89亿欧元。

英特尔和台积电方面，近期ASML新任首席执行官傅恪礼Christophe Fouquet透露，英特尔的第二台High NA EUV光刻机已经顺利完成组装，而台积电的首台High NA EUV光刻机预计最快在今年年底完成交货。

对于四季度和明年发展预计，Christophe Fouquet在声明中表示，尽管人工智能领域展现出强劲的发展势头，但半导体市场的复苏进程比预期缓慢，预计这一趋势将持续到2025年。傅恪礼还提到，由于晶圆代工厂之间的竞争态势，部分客户的新技术节点发展态势放缓，影响了对光刻设备的需求时间节点，尤其是在EUV光刻机方面。而在存储芯片领域，新增产能有限，发展重点依然是技术转型，以满足对人工智能相关的高带宽内存(HBM)和第五代双倍数据速率随机存取存储器(DDR5)的需求。

佳能交付首台新型纳米压印光刻机

在光刻机市场竞争中，佳能的策略是专注于KrF和i-line，而不涉及EUV和ArF等尖端产品，这种策略非常有效。这是因为，在半导体制造中，无论多么尖端，都不能仅靠EUV制造，而是统一使用ArF浸润式、ArF干式、KrF和i-line。

近期日本佳能宣布，成功交付佳能最先进的纳米压印光刻NIL系统FPA-1200NZ2C。据悉，佳能的FPA-1200NZ2C系统可实现最小14nm线宽的图案化，支持5nm制程逻辑半导体生产。

公开资料显示，纳米压印与光刻是两种不同的技术路线。两者的目标相同，简单描述就是将设计好的集成电路图“复制粘贴”到硅片上。而实现方法却大有不同，形象地比喻类似“照相”与“盖印章”。

传统的光刻机通过将电路图案投影到涂有光刻胶的晶圆上来转移电路图案，佳能的设备则是通过将“印有电路图案的掩模像印章一样压入晶圆上的光刻胶中”来生产芯片。由于电路图案的转移不需要通过光学机制，掩模上的精细电路图案可以在晶圆上如实再现。

佳能表示，相较于传统光刻机需要复杂的光学镜片构造，纳米压印设备的构造更为简单，功耗仅需十分之一。同时还能通过单次压印形成复杂的三维电路图案，能够处理用于最先进逻辑芯片的极细电路。

据悉，这次交付的首台设备将被送往美国得克萨斯电子研究所。该研究所是得克萨斯大学奥斯汀分校支持的一个团体组织，成员包括英特尔和其他芯片公司、公共部门和学术组织，这台设备将被用于芯片制造的研究与开发工作。佳能光学产品副首席执行官Kazunori Iwamoto对媒体表示，公司计划在未来3-5年内，每年销售10-20台此类设备。

就在该消息公布的三天之前，佳能还发布了新型半导体曝光设备FPA-3030i6，这是一款配备新开发投影镜头的i-line步进机。新产品FPA-3030i6是面向8英寸（200mm）以下小尺寸基板的半导体曝光设备。该设备通过采用新开发的高透过率和高耐久性投影镜头，既能抑制高照度曝光下产生的像差，又能缩短曝光时间，从而提高生产力。此外，代表镜头分辨率的NA（数值孔径）范围扩大、对应特殊基板的搬送系统等，有多项option（有偿）可供选择，从而满足多种半导体器件（如功率器件和绿能器件）的制造需求。

尼康披露旗下首款半导体后端工艺用光刻机

而尼康依旧想在ArF浸润式和ArF干法领域有所收获。据悉，尼康计划在2026财年之前陆续推出三款半导体光刻机，进一步通过增加氟化氩（ArF）干式、氟化氪（KrF）以及i线三种波长的光刻机，扩展产品线并追赶竞争对手。

10月22日尼康宣布，公司正在研发一款面向半导体先进封装工艺应用、“兼具高分辨率及高生产性能”的1.0微米（即1000纳米）分辨率数字光刻机，该设备预计在尼康2026财年内发售。

尼康表示，随着数据中心AI芯片用量的不断提升，在以Chiplet芯粒技术为代表的先进封装领域出现了对基于玻璃面板的PLP封装技术日益增长的需求，分辨率高且曝光面积大的后端光刻机也愈发不可或缺。尼康正在研发的后端数字光刻机，将半导体光刻机代表性的高分辨率技术同显示产业所用FPD曝光设备的多透镜组技术相融合。其曝光过程无需使用掩膜，而是利用SLM（空间光调制器）来生成所设计的电路图案，从光源发出的光经SLM反射后通过透镜光学组，最终在基板上成像。据悉，新设备相较于传统的有掩膜工艺可同时削减后端工艺的成本和用时。

尼康近两年不断加强研发，加速迭代其光刻设备。今年1月，尼康正式发布ArF浸没式光刻机NSR-S636E，这种光刻机使用氟化氩激光器来生产芯片。

尼康称，作为半导体生产过程中关键层的曝光系统，NSR-S636E具有尼康历史上更高的生产效率，并具有高水准的套刻精度和生产速度，可为尖端半导体器件中的3D等器件结构多样化的挑战提供解决方案。NSR-S636EArF浸没式曝光机采用增强型iAS，该创新系统可利用在高精度测量和广泛的晶圆翘曲和畸变校正功能上，达成了高重叠精度（MMO≤2.1nm）。曝光面积为26毫米×33毫米，生产速度则是增加到每小时280片，加上减少停机时间，使得其与当前型号相比，整体生产率提高了10~15%，已达到尼康光刻设备中最高的生产效率。

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